Samsung tira fuori dal cilindro le memorie UFS 3.1 da 512 GB, con velocità in scrittura da oltre 1 GB/s!

Dopo l'annuncio ufficiale di JEDEC relativo al nuovo standard, ecco che il produttore leader nell'ambito delle memorie Flash per smartphone decide di rompere gli indugi. Samsung ha infatti annunciato l'avvio della produzione di massa delle prime unità di memorie UFS 3.1 da 512 GB, destinate ad essere integrate negli smartphone top di gamma del prossimo futuro.

Se la velocità in lettura sequenziale è rimasta pressoché invariata rispetto alle memorie UFS 3.0 – al già vertiginoso dato massimo di 2,1 GB al secondo – è la velocità in scrittura sequenziale che ha subito il maggiore incremento, addirittura di tre volte superiore rispetto allo standard precedente. Si parla infatti dell'impressionante velocità massima di 1,2 GB al secondo!

Un simile risultato consentirà ai futuri smartphone top di gamma di offrire prestazioni sempre più elevate, sia per quanto riguarda l'ordinaria amministrazione (fino al 60% di velocità in più), sia soprattutto in ambito multimediale.

Grazie ad una simile velocità in scrittura, le memorie UFS 3.1 non perderanno colpi nemmeno in occasione della registrazione video in 8K o di scatti a risoluzioni sempre più elevate, che prevedono un enorme flusso di dati, da salvare istantaneamente.

Le memorie UFS 3.1 da 512 GB saranno il fiore all'occhiello di una gamma che prevederà anche tagli da 256 e 128 GB. Al momento, Samsung non si è sbilanciata sulle tempistiche di disponibilità su scala globale delle nuove memorie, ma dovremmo vederle integrate nei primi modelli di smartphone già nel corso di quest'anno, per poi affermarsi definitivamente nel 2021.