Samsung lavora ai nuovi chip realizzati con processo a 3 nm: performance e autonomia prima di tutto (video e foto)

In queste ore è in corso la Samsung Foundry Forum 2019 in California, una sorta di fiera tecnologica, dove l'azienda sudcoreana ha mostrato i primi dettagli sul nuovo processo realizzativo attuato per i suoi SoC.

La nuova tecnica è caratterizzata da una realizzazione a 3 nm, un'innovazione rispetto agli attuali processori realizzati a 7 nm: rispetto ad essi infatti i nuovi SoC offrirebbero delle dimensioni ridotte di circa il 45%, consumando circa il 50% in meno d'energia ed offrendo un'efficienza superiore del 35%. Samsung ha brevettato questa metodologia di realizzazione con il termine gate-all-around (GAA), la quale impila i nano-strati verticalmente (esempio riportato in galleria).

Questa tecnologia vedrà la sua concretizzazione industriale non nell'immediato: per il secondo semestre 2019 inizierà la produzione dei chip che prevedono la realizzazione con processo a 6 nm, mentre quella dei FinFET a 5 nm verrà completata entro la fine dell'anno.

Per maggiori dettagli sulla nuova tecnologia di realizzazione annunciata da Samsung vi suggeriamo di vedervi il video diffuso dall'azienda riportato qui sotto.