SanDisk presenta all'MWC una nuova soluzione per lo storage

Ogni qualvolta uno smartphone Android fa il suo ingresso nel mercato, si fa un gran parlare su quale chip ARM ha puntato il produttore o di quanta RAM è in dotazione, senza considerare che la velocità della memoria di storage ha anch'essa un impatto significativo sulle prestazioni.

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SanDisk coglie l'occasione di questo MWC per presentare ai produttori una nuova soluzione per lo storage, parliamo di iNAND Extreme che dichiara di operare 3 volte più veloce in scrittura random e due volte più veloce in lettura sequenziale rispetto alle attuali tecnologie.

Vediamo le principali caratteristiche del nuovo interessante prodotto dell'azienda leader nelle memorie flash:

• Costruito su specifiche eMMC 5.0 HS400
• Scrittura/lettura sequenziali superiori rispettivamente ad 80/300 MB/s; Scrittura/lettura random rispettivamente sopra i 3000/6000 IOPS (Input/Output Operations Per second)
• Nuova architettura hardware dual CPU e dual channel

Come altre piattaforme dello stesso genere, iNAND Extreme è costituita da un chip singolo con memoria e controller integrati, l'implementazione della tecnologia eMMC 5.0 consiste in un'interfaccia host da 400MB/s con il dispositivo con due canali interni da 300MB/s che collegano il controller al NAND, quest'ultima caratteristica è utile nella cosiddetta gestione della garbage collection che ridurrà di parecchio qualsiasi lag della memoria.

SanDisk sta già producendo versioni da 16, 32 e 64GB ed è molto probabile che inizieremo a vedere iNAND Extreme sui dispositivi in uscita a partire da Aprile di quest'anno.