samsung-UFS 2.0

Galaxy S6 / S6 Edge asfaltano chiunque nei test sulla memoria interna (Foto)

Nicola Ligas -

Il termine “asfaltare” non è propriamente tecnico, ma rende bene l’idea dei risultati ottenuti nei test sulla memoria flash dei nuovi Galaxy S6 ed S6 Edge, che sono talmente superiori alla concorrenza tutta, da renderli quasi imparagonabili ai concorrenti.

LEGGI ANCHE: Samsung presenta la memoria flash UFS 2.0

I risultati parlano da soli, e potrete averne un’assaggio grazie alle immagini in galleria, ottenute tramite l’app Androbench. La nuova NAND flash UFS 2.0 presentata da Samsung è infatti su un’altra scala rispetto alle eMMC usate finora. Oltre al non indifferente vantaggio di poter leggere e scrivere nello stesso tempo, ha un sistema molto efficiente di priorità dei task, tanto che, secondo Samsung, sarebbe in grado di arrivare a velocità di lettura sequenziale di 350 MB/s e di scrittura sequenziale di 150 MB/s; superiori anche alle nuove eMMC 5.1 presentate dalla stessa azienda, come confermato indirettamente dai test sui modelli presenti al MWC.

Confrontandoli con i risultati del recente passato, è poi ancora più evidente che siamo davanti ad un vero salto generazionale, tanto più che i punteggi dei nuovi Galaxy S6 sono stati ottenuti con dei modelli non definitivi. Peccato poi per l’assenza di HTC One M9, ma considerando che quest’ultimo usa ancora memorie eMMC, non dovrebbe esibire punteggi molto diversi da quelli degli altri.

Via: Phone Arena
Samsung Galaxy S6

Samsung Galaxy S6

confronta modello

Ultime dal forum:

Samsung Galaxy S6 edge

Samsung Galaxy S6 edge

confronta modello

Ultime dal forum:

Samsung Galaxy S6 Edge